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RJK0213DPA-00-J53

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK0301DPB-02/J0

RENESAS/瑞
SOT-669

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RJK0332DPB-01

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RJK0651DPB-00#J5

RENESAS
SOT669

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详细参数

  • 型号:

    RJK0213DPA-00-J53

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

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