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RJH60F7	文件：200.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RJH60F7ADPK	文件：200.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F7ADPK-00-T0	文件：200.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F7BDPQ-A0	文件：102.1 Kbytes Page：9 Pages	600V - 50A - IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F7DPQ-A0	文件：112.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60F7DPQ-A0-T0	文件：112.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
180
IC (A) @25 °C：
90
IC (A) @100 °C：
50
VCE (sat)(V)：
1.35
tf (µs) 典型值：
0.074
FRD Vf (V)：
1.6
FRD trr (ns)：
140
Pch (W)：
328.9
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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