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RJH60F7中文资料Silicon N Channel IGBT / High Speed Power Switching / TO-3P Package数据手册Renesas规格书

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厂商型号

RJH60F7

参数属性

RJH60F7 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A

功能描述

Silicon N Channel IGBT / High Speed Power Switching / TO-3P Package

封装外壳

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:03:00

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RJH60F7规格书详情

描述 Description

1. Low collector to emitter saturation voltage

2. Built in fast recovery diode in one package

3. Trench gate and thin wafer technology

4. High speed switching

技术参数

  • 产品编号:

    RJH60F7BDPQ-A0#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    63ns/142ns

  • 测试条件:

    400V,30A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247A

  • 描述:

    IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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