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RJH60F6DPQ-A0-T0规格书详情
特性 Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 型号：
RJH60F6DPQ-A0-T0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO247 |
12000 |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
2025+ |
TO-3P |
4755 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
RENESAS |
2018+ |
TO-3P |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-3P |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
RenesasElectronics |
24+ |
NA |
3462 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
