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RJH60F6DPQ-A0-T0	文件：113.7 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJH60F6DPQ-A0-T0
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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