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RJH60F6DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 Ω

文件:113.7 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60F7DPQ

RENESAS
TO247

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

RJJ0319DSP

RENESAS
SOP-8

RJK0301DPB-02/J0

RENESAS/瑞
SOT-669

RENESAS/瑞

RJK0304DPB-00-J0

RENESAS/瑞萨
TO-252

RENESAS/瑞萨

详细参数

  • 型号:

    RJH60F6DPQ-A0-T0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJH60F6DPQ-A0-T0供应商 更新时间2025-10-10 9:09:00