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RJH60F4DPK	文件：221.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.4 V typ. (at IC= 30 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 80 ns typ. (at IC= 文件：221.83 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPK-00-T0	文件：221.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.4 V typ. (at IC= 30 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 80 ns typ. (at IC= 文件：221.83 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPQ-A0	文件：113.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta 文件：113.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPQ-A0-T0	文件：113.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 80 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta 文件：113.43 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPK	文件：88.06 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：88.06 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPK_10	文件：88.06 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：88.06 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPK_11	文件：93.42 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：93.42 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPK_15	文件：93.42 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：93.42 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPK-00-T0	文件：88.06 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：88.06 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F4DPQ-A0_15	文件：88.73 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching 文件：88.73 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
IH：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
120
IC (A) @25 °C：
60
IC (A) @100 °C：
30
VCE (sat)(V)：
1.4
tf (µs) 典型值：
0.08
FRD Vf (V)：
1.6
FRD trr (ns)：
140
Pch (W)：
235.8
应用：
IH Cooker/PFC
安装类型：
Through Hole

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