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RJH60D7BDPQ-E0	文件：333.49 Kbytes Page：10 Pages	600V - 50A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 50 ns 文件：333.49 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7ADPK	文件：93.66 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 50 A - IGBT Application: Inverter 文件：93.66 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7ADPK_15	文件：114.58 Kbytes Page：10 Pages	600V - 50A - IGBT Application: Inverter 文件：114.58 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7BDPQ-E0_15	文件：126.37 Kbytes Page：10 Pages	600V - 50A - IGBT Application: Inverter 文件：126.37 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7BDPQ-E0_16	文件：334.41 Kbytes Page：10 Pages	600V - 50A - IGBT 文件：334.41 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7DPK	文件：86.11 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：86.11 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7DPK_10	文件：88.96 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.96 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7DPK_15	文件：107.57 Kbytes Page：10 Pages	600V - 50A - IGBT Application: Inverter 文件：107.57 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7DPK-00-T0	文件：86.11 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：86.11 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D7DPM	文件：90.1 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：90.1 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-247
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
200
IC (A) @25 °C：
90
IC (A) @100 °C：
50
VCE (sat)(V)：
1.6
tf (µs) 典型值：
0.05
tsc (µs)：
3
FRD Vf (V)：
2.5
FRD trr (ns)：
25
Pch (W)：
300
应用：
Inverter
安装类型：
Through Hole

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