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3806	文件：2.10114 Mbytes Page：223 Pages	8-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
3806	文件：798.7 Kbytes Page：58 Pages	SINGLE-CHIP8-BITCMOSMICROCOMPUTER	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
3806	文件：423.43 Kbytes Page：1 Pages	TUBEAXIAL	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
3806	文件：290.54 Kbytes Page：4 Pages	ACaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
ADP3806	文件：274.21 Kbytes Page：16 Pages	High-FrequencySwitchModeLi-IonBatteryCharger GENERALDESCRIPTION TheADP3806isacompleteLi-Ionbattery-chargingIC.Thedevicecombineshighoutputvoltageaccuracywithconstantcurrentcontroltosimplifytheimplementationofconstantcurrent,constant-voltage(CCCV)chargers. FEATURES Li-Ionbatterycharger Threebattery	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP3806JRU	文件：274.21 Kbytes Page：16 Pages	High-FrequencySwitchModeLi-IonBatteryCharger GENERALDESCRIPTION TheADP3806isacompleteLi-Ionbattery-chargingIC.Thedevicecombineshighoutputvoltageaccuracywithconstantcurrentcontroltosimplifytheimplementationofconstantcurrent,constant-voltage(CCCV)chargers. FEATURES Li-Ionbatterycharger Threebattery	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP3806JRU-REEL	文件：274.21 Kbytes Page：16 Pages	High-FrequencySwitchModeLi-IonBatteryCharger GENERALDESCRIPTION TheADP3806isacompleteLi-Ionbattery-chargingIC.Thedevicecombineshighoutputvoltageaccuracywithconstantcurrentcontroltosimplifytheimplementationofconstantcurrent,constant-voltage(CCCV)chargers. FEATURES Li-Ionbatterycharger Threebattery	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP3806JRUZ-REEL	文件：274.21 Kbytes Page：16 Pages	High-FrequencySwitchModeLi-IonBatteryCharger GENERALDESCRIPTION TheADP3806isacompleteLi-Ionbattery-chargingIC.Thedevicecombineshighoutputvoltageaccuracywithconstantcurrentcontroltosimplifytheimplementationofconstantcurrent,constant-voltage(CCCV)chargers. FEATURES Li-Ionbatterycharger Threebattery	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AMIFR3806	文件：396.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
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AON3806	文件：134.83 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON3806usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AUIRFR3806TRL	文件：277.91 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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