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AON3806

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAON3806usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AON3806

20V Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AON3806_12

20V Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AUIRFR3806

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

AUIRFR3806

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

AUIRFR3806

AUTOMOTIVEGRADE

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

AUIRFR3806TR

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

AUIRFR3806TR

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

AUIRFR3806TRL

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

AUIRFR3806TRL

AdvancedProcessTechnology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

详细参数

  • 型号:

    AON3806

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL N-CH 20V 6.8A 8-DFN

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS
25+
DFN3*3
98961
原厂代理MOS管,原装现货
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AOS/万代
24+
DFN33
333888
原装进口 AOS原厂代理商
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6-DFN
7500
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DFN3X3
45000
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AOS/万代
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DFN3x3
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更多AON3806供应商 更新时间2025-7-24 17:43:00