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RN2411 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •ComplementarytoRN1410,RN1411 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | |
Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10KO | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput | RECOM Recom International Power | RECOM | ||
1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput | RECOM Recom International Power | RECOM | ||
20dBmsinglechiplinearamplifierforWLAN DESCRIPTION TheSA2411isalinearpoweramplifierdesignedforWLANapplicationinthe2.4GHzband.TogetherwiththeSA2400Athechipsformacomplete802.11btransceiver.TheSA2411isaSipoweramplifierwithintegratedmatchingandpowerleveldetector. FEATURES •75Ω+25jΩdifferenti | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
20dBmsinglechiplinearamplifierforWLAN DESCRIPTION TheSA2411isalinearpoweramplifierdesignedforWLANapplicationinthe2.4GHzband.TogetherwiththeSA2400Athechipsformacomplete802.11btransceiver.TheSA2411isaSipoweramplifierwithintegratedmatchingandpowerleveldetector. FEATURES •75Ω+25jΩdifferenti | PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO | ||
BIDIRECTIONALTVSDIODE Features ●Ultralowleakage:nAlevel ●Operatingvoltage:24.0V ●Lowclampingvoltage ●Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±15kV Contactdischarge:±8kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning) | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
BIDIRECTIONALTVSDIODE Features ●Ultralowleakage:nAlevel ●Operatingvoltage:24V ●Lowclampingvoltage ●Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±25kV Contactdischarge:±15KV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)1 | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
FN1A4Z,DTA114TK,UN2115,2SA1496,
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4
详细参数
- 型号：
RN2411
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA |
SOT23 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
TOS |
23+ |
SOT23 |
9526 |
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TOSHIBA |
24+ |
23 |
5000 |
公司存货 |
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TOSHIBA |
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SOT-23 |
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NA |
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SOT23 |
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TOSHIBA |
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SC-59 |
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SOT23 |
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