RN2411分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2411 |
| 参数属性 | RN2411 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10KO |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
166.7 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 19:25:00 |
| 人工找货 | RN2411价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2411规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
• With built-in bias resistors
• Simplify circuit design
• Reduce a quantity of parts and manufacturing process
• Complementary to RN1410, RN1411
产品属性
- 产品编号：
RN2411,LXHF
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
S-Mini
- 描述：
AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10KO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
02+ |
SOT23 |
18500 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-23 |
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SOT-23 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT23 |
3000 |
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