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RFP12N10L	文件：361.5 Kbytes Page：6 Pages	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitchingandsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecialgate	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
RFP12N10L	文件：38.42 Kbytes Page：5 Pages	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitchingandsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecialgate	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP12N10L	文件：101.13 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET) TheRFM12N08LandRFM12N10LandtheRFP12N08LandRFP12N10Laren-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddriver	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RFP12N10L	文件：938.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
12N10	文件：1.68514 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
12N10	文件：194.56 Kbytes Page：5 Pages	12A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
12N10	文件：443.06 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	UMWUMW 友台友台半导体
12N10L	文件：1.00844 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
12N10P	文件：532.37 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,100VoltsN-CHANNELPowerMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
A12N10P	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团
A12N10PP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团
A12N10PP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BRF12N10	文件：794.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
CED12N10	文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CED12N10	文件：978.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CED12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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详细参数

型号：
RFP12N10L
功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	RFP12N10L	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	TO220	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	RFP12N10L	onsemi	23+	TO-220-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	RFP12N10L	FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR	21+	NA	30	只做原装,假一罚十	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	RFP12N10L	FSC	17+	TO-220	6200		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	RFP12N10L	Intersil	2017+	TO-220	42568	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多RFP12N10L供应商更新时间2024-4-27 16:36:00

详细参数

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