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RFP12N10L	文件：361.5 Kbytes Page：6 Pages	Marking：F12N10L；Package：TO-220AB；12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitchingandsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecialgate	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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RFP12N10L

文件：361.5 Kbytes

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Marking：F12N10L；Package：TO-220AB；12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitchingandsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecialgate

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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更多F12N10L供应商更新时间2025-5-18 8:58:00

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