RFP12N10L芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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RFP12N10L	文件：361.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：F12N10L；Package：TO-220AB；12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors specifically designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate 文件：361.5 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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更多F12N10L供应商更新时间2026-2-4 9:38:00