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RFP12N10L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

RFP12N10L

功能描述

N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,100V,12A,200mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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RFP12N10L规格书详情

描述 Description

这些N沟道加强模式硅栅极功率场效应晶体管设计用于逻辑电平(5V)驱动源,适合可编程控制器、车用开关和电磁阀驱动器等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现,在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09526。

特性 Features

•12A, 100V
•rDS(ON)= 0.200Ω
•针对5V栅极驱动优化的设计
•可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
•与车用驱动要求兼容
•SOA为有限功耗
•纳秒开关速度
•线性传递特性
•高输入阻抗
•多数载流子器件
•相关文献

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :RFP12N10L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±10

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :12

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :900

  • Package Type

    :TO-220-3

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