RFP12N10L中文资料N 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，100V，12A，200mΩ数据手册ONSEMI规格书
RFP12N10L规格书详情
描述 Description
这些N沟道加强模式硅栅极功率场效应晶体管设计用于逻辑电平(5V)驱动源，适合可编程控制器、车用开关和电磁阀驱动器等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09526。
特性 Features
•12A, 100V
•rDS(ON)= 0.200Ω
•针对5V栅极驱动优化的设计
•可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
•与车用驱动要求兼容
•SOA为有限功耗
•纳秒开关速度
•线性传递特性
•高输入阻抗
•多数载流子器件
•相关文献
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：RFP12N10L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±10
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：12
- PD Max (W)
：60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：-
- Ciss Typ (pF)
：900
- Package Type
：TO-220-3
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