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RFG1M09180	文件：1.2233 Mbytes Page：11 Pages	180W GaN Power Amplifier 文件：1.2233 Mbytes 页数：11 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RFG1M20090	文件：1.08918 Mbytes Page：11 Pages	90W GaN Power Amplifier 文件：1.08918 Mbytes 页数：11 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RFG1M20180	文件：1.30397 Mbytes Page：11 Pages	180W GaN Power Amplifier 文件：1.30397 Mbytes 页数：11 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RFG3	文件：66.08 Kbytes Page：3 Pages	EINWEGGLEICHRICHTER FUR KATHODENSTRAHIROHREN 文件：66.08 Kbytes 页数：3 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
RFG40N10LE	文件：413.06 Kbytes Page：8 Pages	40A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs 文件：413.06 Kbytes 页数：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFG45N06	文件：381.64 Kbytes Page：8 Pages	45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power 文件：381.64 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
RFG45N06_02	文件：381.64 Kbytes Page：8 Pages	45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power 文件：381.64 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
RFG70N06	文件：324.52 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFG70N06	文件：969.22 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：969.22 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RFGA0014	文件：491.95 Kbytes Page：7 Pages	InGaP HBT MMIC Amplifier 50MHz TO 1000MHz 文件：491.95 Kbytes 页数：7 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

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详细参数

型号：
RFG
功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 100V/40a
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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