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STLC3055	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055N	文件：315.8 Kbytes Page：25 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT Description TheSTLC3055NisaSLICdevicespecificallydesignedforwirelesslocalloop(WLL)andISDNterminaladaptors(ISDN-TA)andVoIPapplications.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from5.5Vto12V)andselfge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055Q	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055QTR	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU3055L	文件：765.38 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU3055NL	文件：814.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STUD3055L	文件：125.69 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
T3055EL	文件：236.71 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLOGICLEVELTMOSFET1.5AMP60VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™ SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSpowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisdeviceisalsodesignedwithalowthresholdvoltagesoi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP3055	文件：95.71 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •DCCurrentGain-:hFE=20-70@IC=4A •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.1V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP2955 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP3055	文件：64.349 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconHighPowerTtransistors PNPTIP2955 NPNTIP3055 DESCRIPTION TheTIP3055isasiliconEpitaxial-BasePlanarNPNtransistormountendinTO-247plasticpackage.Itisintentedforpowerswitchingcircuits,seriesandshuntregulators,outputstagesandhi-fiamplifiers. ThecomplementaryPNPtypeistheTIP295	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

详细参数

型号：
RFD3055SM_Q
功能描述：
MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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