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RK3055E	文件：135.22 Kbytes Page：4 Pages	Smallswitching(60V,8A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)WideSOA(safeoperatingarea). 4)Low-voltagedrive. 5)Easilydesigneddrivecircuits. 6)Easytouseinparallel. Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK3055E	文件：95.79 Kbytes Page：5 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
S3055	文件：521.059 Kbytes Page：13 Pages	5CHBTLMotorDriveIC	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SFD3055	文件：971.92 Kbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SFD3055	文件：1.01573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFD3055L	文件：972.14 Kbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SGM3055	文件：1.27514 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SID3055	文件：1.59435 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SID3055	文件：960.7 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPN3055	文件：205.84 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheSPN3055istheN-Channellogicenhancementmode powerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcell density,DMOStrenchtechnology. Thishighdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance.Thesedevicesare particularlysuitedfo	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER

详细参数

型号：
RFD3055SM_Q
功能描述：
MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFD3055SM_Q供应商更新时间2025-5-18 14:00:00

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