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SPN3055	文件：205.84 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION The SPN3055 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited fo 文件：205.84 Kbytes 页数：8 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER
SPN3055	文件：985.98 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：985.98 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SPN3055	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	SYNC Power 擎力科技	SYNC Power
SPN3055T252RG	文件：205.84 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION The SPN3055 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited fo 文件：205.84 Kbytes 页数：8 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER
SPN3055_11	文件：281.98 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.98 Kbytes 页数：8 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER
SPN3055T252RG	文件：281.98 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.98 Kbytes 页数：8 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER
SPN3055T252RGB	文件：281.98 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.98 Kbytes 页数：8 Pages	SYNC-POWER 擎力科技	SYNC-POWER

技术参数

VDSSV：
30
VGS V：
20
VTH_Min_V：
1
VTH_Max_V：
3
IDS_25℃_A：
12
RDS(Max)_10V_mΩ：
60
RDS(Max)_4.5V_mΩ：
90
Package：
TO-252-2L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	SPN3055	SYNCPOWER	2016+	TO-252	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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更多SPN3055供应商更新时间2026-1-8 8:31:00

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