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SSR3055A

ADVANCEDPOWERMOSFET

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

SSR3055A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSR3055LA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSRU3055A

ADVANCEDPOWERMOSFET

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

SSU3055A

ADVANCEDPOWERMOSFET

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

SSU3055A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SSU3055LA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STD3055L

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

STD3055L

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STD3055NL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    RFD3055SM_Q

  • 功能描述:

    MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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公司存货
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TO-252
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更多RFD3055SM_Q供应商 更新时间2025-5-18 10:20:00