N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，14A，100mΩ

这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 这种性能通过一种特殊的栅极氧化设计来实现，在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA09870。 •14A, 50V\n•rDS(ON)= 0.100Ω\n•温度补偿式PSPICE®模型\n•可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•175°C工作温度\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体

14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，14A，100mΩ

这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 这种性能通过一种特殊的栅极氧化设计来实现，在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA09870。 •14A、50V\n•rDS(ON)= 0.100Ω\n•温度补偿式PSPICE®模型\n•可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•175°C工作温度\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体