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RFD14N05SM	文件：220.35 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching re 文件：220.35 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD14N05SM	文件：635.43 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：635.43 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
RFD14N05SM	文件：299.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RFD14N05SM9A	文件：780.12 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：780.12 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
RFD14N05SM9A	文件：157.91 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching re 文件：157.91 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD14N05SM9A	文件：220.35 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching re 文件：220.35 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD14N05L	文件：213.77 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 文件：213.77 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD14N05L_04	文件：213.77 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 文件：213.77 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD14N05LSM	文件：213.77 Kbytes Page：8 Pages	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs 文件：213.77 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RFD14N05LSM	文件：1.00335 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00335 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
50
VGS Max (V)：
±10
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
14
PD Max (W)：
48
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
100
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23
Ciss Typ (pF)：
670
Package Type：
IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	RFD14N05	onsemi(安森美)	24+	IPAK	7845	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多RFD14N05供应商更新时间2025-11-22 16:12:00

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