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TDA6501TT	文件：223.88 Kbytes Page：37 Pages	5Vmixer/oscillatorandsynthesizerforPALandNTSCstandards	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TFDS6501E	文件：667.03 Kbytes Page：17 Pages	FastInfraredTransceiverModuleFamily(FIR,4Mbit/s)for2.6Vto5.5VOperation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TFDT6501E	文件：667.03 Kbytes Page：17 Pages	FastInfraredTransceiverModuleFamily(FIR,4Mbit/s)for2.6Vto5.5VOperation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
THN6501	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501E	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501E	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501F	文件：189.85 Kbytes Page：11 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighGain MAG=11.5dBatf=1GHz,VCE=10V,IC=20mA oHighTransitionFrequency fT=7GHzatf=1GHz,VCE=10V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501S	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501S	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501U	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK

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详细参数

型号：
R6501AJ
功能描述：
ONE CHIP MICROPROCESSOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6501AJ供应商更新时间2025-5-9 10:08:00

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