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厂商型号

THN6501

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR

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231.19 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

TACHYONICS

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更新时间

2026-2-6 18:36:00

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THN6501规格书详情

□ Features

o Low Noise Figure

NF = 1.0 dB Typ. @ f = 1 GHz, V CE = 3V, IC = 7mA

o High Power Gain

MAG = 15 dB Typ. @ f = 1 GHz, VCE = 3V, IC = 7mA

o High Transition Frequency

fT = 9 GHz Typ. @ VCE = 3 V, IC = 30 mA

□ Application

LNA and wide band amplifier up to GHz range

产品属性

  • 型号:

    THN6501

  • 制造商:

    TACHYONICS

  • 制造商全称:

    TACHYONICS

  • 功能描述:

    NPN SiGe RF TRANSISTOR

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