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THN6501S	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □ Features o Low Noise Figure NF = 1.0 dB at f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA o High Power Gain MAG = 15 dB at f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA o High Transition Frequency fT = 9 GHz at VCE = 3 V, IC = 30 mA □ Application LNA and wide band amplifier up to GHz range 文件：230.71 Kbytes 页数：15 Pages	AUK	AUK
THN6501S	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □ Features o Low Noise Figure NF = 1.0 dB Typ. @ f = 1 GHz, V CE = 3V, IC = 7mA o High Power Gain MAG = 15 dB Typ. @ f = 1 GHz, VCE = 3V, IC = 7mA o High Transition Frequency fT = 9 GHz Typ. @ VCE = 3 V, IC = 30 mA □ Application LNA and wide band amplifier up to GHz range 文件：231.19 Kbytes 页数：13 Pages	TACHYONICS	TACHYONICS
THN6501U	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □ Features o Low Noise Figure NF = 1.0 dB Typ. @ f = 1 GHz, V CE = 3V, IC = 7mA o High Power Gain MAG = 15 dB Typ. @ f = 1 GHz, VCE = 3V, IC = 7mA o High Transition Frequency fT = 9 GHz Typ. @ VCE = 3 V, IC = 30 mA □ Application LNA and wide band amplifier up to GHz range 文件：231.19 Kbytes 页数：13 Pages	TACHYONICS	TACHYONICS
THN6501U	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □ Features o Low Noise Figure NF = 1.0 dB at f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA o High Power Gain MAG = 15 dB at f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA o High Transition Frequency fT = 9 GHz at VCE = 3 V, IC = 30 mA □ Application LNA and wide band amplifier up to GHz range 文件：230.71 Kbytes 页数：15 Pages	AUK	AUK
THN6501Z	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □ Features o Low Noise Figure NF = 1.0 dB Typ. @ f = 1 GHz, V CE = 3V, IC = 7mA o High Power Gain MAG = 15 dB Typ. @ f = 1 GHz, VCE = 3V, IC = 7mA o High Transition Frequency fT = 9 GHz Typ. @ VCE = 3 V, IC = 30 mA □ Application LNA and wide band amplifier up to GHz range 文件：231.19 Kbytes 页数：13 Pages	TACHYONICS	TACHYONICS

详细参数

型号：
THN6501S
制造商：
AUK
制造商全称：
AUK corp
功能描述：
SiGe NPN Transistor

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更多THN6501S供应商更新时间2025-11-18 22:58:00

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