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R6015ANZ

10VDriveNchMOSFET

Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. Application Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6015ENJ

Nch600V15APowerMOSFET

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罗姆罗姆半导体集团

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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罗姆罗姆半导体集团

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罗姆罗姆半导体集团

R6015FNX

10VDriveNchMOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6015FNX

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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更多R6015ANX其他被动元件供应商 更新时间2025-7-29 8:08:00