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R6015FNX	文件：1.27253 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNX	文件：1.1545 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6015KNJ	文件：299.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015KNJ	文件：2.30408 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNX	文件：2.57726 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNZ	文件：2.58186 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNZ	文件：309.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RH6015	文件：683.629 Kbytes Page：11 Pages	触摸芯片代理	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市旺财半导体有限公司	ETC
RJK6015DPK	文件：107.34 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6015DPM	文件：86.96 Kbytes Page：7 Pages	600V-21A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.315Ωtyp.(atID=10.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
R6015FNX
功能描述：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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