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R6015FNX

10V Drive Nch MOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6015FNX

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

R6015KNJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

R6015KNJ

Nch600V15APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6015KNX

Nch600V15APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6015KNZ

Nch600V15APowerMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

R6015KNZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

RH6015

触摸芯片代理

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

PDF上传者:深圳市旺财半导体有限公司

RJK6015DPK

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6015DPM

600V-21A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.315Ωtyp.(atID=10.5A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    R6015FNX

  • 功能描述:

    MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多R6015FNX供应商 更新时间2025-7-22 16:01:00