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R6015ENJ	文件：2.47311 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET 文件：2.47311 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6015ENJ	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6015ENJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V驱动型 Nch MOSFET 场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6015ENX	文件：296.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6015ENX	文件：2.46809 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET 文件：2.46809 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6015ENZ	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
15
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.26
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.26
Total gate charge Qg[nC]：
40
Power Dissipation (PD)[W]：
40
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
480
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6015ENJ供应商更新时间2025-10-13 16:19:00

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