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R6015ENJ	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENJ	文件：2.47311 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：2.46809 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：296.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：923.2 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNJ	文件：3.30968 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNX	文件：1.27253 Mbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNX	文件：1.1545 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6015KNJ	文件：299.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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