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R6015ANZ	文件：1.15857 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET Structure Silicon N-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) High ESD. Application Switching 文件：1.15857 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6015ANZ	文件：343.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：343.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6015ANZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 指制造中止，不可购买的产品。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
R6015ENJ	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6015ENJ	文件：2.47311 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 15A Power MOSFET 文件：2.47311 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6015ENX	文件：296.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-3PF
包装数量：
360
最小独立包装数量：
360
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-3PF
Package Size[mm]：
26.5x15.5 (t=5.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
15.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.23
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.23
Total gate charge Qg[nC]：
50.0
Power Dissipation (PD)[W]：
110.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	R6015ANZ	ROHM/罗姆	25+	TO-3PF	32360	ROHM/罗姆全新特价R6015ANZ即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多R6015ANZ供应商更新时间2025-12-1 9:03:00

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