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R6015ANZ	文件：1.15857 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. Application Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENJ	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENJ	文件：2.47311 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：2.46809 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：296.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：923.2 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNJ	文件：3.30968 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNX	文件：1.27253 Mbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNX	文件：1.1545 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
R6015ANZ
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
10V Drive Nch MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市亚泰盈科电子有限公司	R6015ANZ	ROHM		TO-3P	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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更多R6015ANZ供应商更新时间2025-7-24 11:26:00

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