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R6020JNJ	文件：2.49157 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6020JNJ；Package：LPTS；Nch 600V 20A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching applications 文件：2.49157 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6020JNJ	文件：349.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6020JNX	文件：318.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：318.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6020JNX	文件：2.44171 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6020JNX；Package：TO-220FM；Nch 600V 20A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching applications 文件：2.44171 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6020JNZ	文件：2.78363 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6020JNZ；Package：TO-3PF；Nch 600V 20A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching applications 文件：2.78363 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6020JNZ	文件：343.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：343.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6020JNZ4	文件：359.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：359.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6020JNZ4	文件：2.51901 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6020JNZ4；Package：TO-247G；Nch 600V 20A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching applications 文件：2.51901 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6020KNZ4	文件：2.17463 Mbytes Page：15 Pages	丝印：R6020KNZ4；Package：TO-247；Nch 600V 20A Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.17463 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6020KNZ4	文件：358.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：358.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
R60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
开关管（SW）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
KSR2110,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

IF（A）：
0.2
VRRM(V)：
6000
IFSM(A)：
30
VF(V)：
5
@IVA(A)：
0.2
IR (μA)TA=25℃：
5
TJ(℃)：
/

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	R6015KNX	Rohm(罗姆)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
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