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R2P	文件：434.46 Kbytes Page：2 Pages	2 Post Standard Equipment Rack 文件：434.46 Kbytes 页数：2 Pages	PANDUIT	PANDUIT
BFR93A	文件：117.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：R2p；Package：SOT-23；NPN 6 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN wideband transistor in a plastic SOT23 package. PNP complement: BFT93. FEATURES • High power gain • Low noise figure • Very low intermodulation distortion. APPLICATIONS • RF wideband amplifiers and oscillators. 文件：117.7 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BFR93A	文件：80.54 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R2p；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor* • For low-noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 * Short term description 文件：80.54 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR93A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	丝印：R2p；Package：SOT-23；RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 页数：130 Pages	恩XP	恩XP
BFR93A	文件：142.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R2p；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor 文件：142.49 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR93A	文件：614.9 Kbytes Page：6 Pages	丝印：R2p；Package：SOT-23；Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：614.9 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
R2P020N06HZG	文件：2.74942 Mbytes Page：14 Pages	丝印：LH；Package：SOT-89；Nch 60V 2A Middle Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Low voltage drive(2.5V drive) 3) AEC-Q101 Qualified Application Switching 文件：2.74942 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R2P48	文件：434.46 Kbytes Page：2 Pages	2 Post Standard Equipment Rack 文件：434.46 Kbytes 页数：2 Pages	PANDUIT	PANDUIT
R2P6S	文件：435.24 Kbytes Page：2 Pages	2 Post Standard Equipment Rack 文件：435.24 Kbytes 页数：2 Pages	PANDUIT	PANDUIT
R2P6S	文件：434.46 Kbytes Page：2 Pages	2 Post Standard Equipment Rack 文件：434.46 Kbytes 页数：2 Pages	PANDUIT	PANDUIT

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技术参数

封装：
MPT3
包装形态：
Taping
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-243
JEITA Package：
SC-62
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.28
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.195
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.19
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.28
Total gate charge Qg[nC]：
5
Power Dissipation (PD)[W]：
0.5
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.5x4.0 (t=1.7)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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