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R2P6S	文件：435.24 Kbytes Page：2 Pages	2 Post Standard Equipment Rack	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司
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R2P6S96	文件：434.46 Kbytes Page：2 Pages	2 Post Standard Equipment Rack	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司
R2P6S96	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：盒子，外壳，机架机架描述：EIA STEEL RACK 19\	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司
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2P6M	文件：396.47 Kbytes Page：1 Pages	2APLASTICMOLDEDTHYRISTOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2P6M	文件：311.34 Kbytes Page：1 Pages	Opto-ElectronicDevices(NEPOC)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2P6M	文件：129.32 Kbytes Page：1 Pages	Electricblanket,electronicjar,varioustemperature	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2P6M	文件：669.45 Kbytes Page：5 Pages	Blockingvoltageto600V Description Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurpose switchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlyto microcontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircu	HAOPINHAOPIN MICROELECTRONICS CO.,LTD 好品微電子深圳市好品微電子有限公司
2P6M	文件：57.33 Kbytes Page：1 Pages	Triacssensitivegate GENERALDESCRIPTION Passivatedthyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseinapplicationsrequiringhighbidirectionalblockingvoltagecapabilityandhighthermalcyclingperformance.Typicalapplicationsincludemotorcontrol,industrialdomesticlighting,heatingandstaticandswitchin	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
SS2P6	文件：83.75 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技
SS2P6	文件：104.06 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
SS2P6	文件：101.9 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyBarrierRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable •Materialcategoriza	VishayVishay Siliconix 威世科技
SS2P6	文件：92.7 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentDensitySurfaceMountSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V2P6	文件：107.17 Kbytes Page：4 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V2P6	文件：107.81 Kbytes Page：4 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof0.65mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotive	VishayVishay Siliconix 威世科技
V2P6L	文件：107.64 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V2P6L	文件：113.33 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Lowprofilepackage •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3 •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技
V2P6X	文件：112.65 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V2P6X	文件：111.12 Kbytes Page：5 Pages	Surface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Lowprofilepackage •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3 •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技

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更多R2P6S供应商更新时间2024-4-26 16:06:00

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