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QS8M11	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) The UTC QS8M11 uses UTC’s advanced technology to providethe customers with low voltage drive, etc.The UTC QS8M11 is suitable for switching. • N-Channel: 30V, 3.5A\n• RDS(ON) < 65mΩ @ VGS= 4.5V\n• P-Channel: -30V, -3.0A\n• RDS(ON) < 115mΩ @ VGS= -4.5V\n• Low voltage drive (4V drive)\n• Low on-resistance;	UTC 友顺	UTC
QS8M11A	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Pch MOSFET • Low On-Resistance\n• High Power Package (TSMT8)\n• Low Voltage Drive (4V Drive);	ROHM 罗姆	ROHM
QS8M13	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Pch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
QS8M11TCR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TSMT8
Package Size[mm]：
3.0x2.8 (t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.028
Total gate charge Qg[nC]：
5.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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