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QS8M11TCR

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

QS8M11

4VDriveNchPchMOSFET

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

QS8M11

DUALENHANCEMENTMODE

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

SH8M11

4VDriveNchPchMOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Highpowerpackage(SOP8). 3)Lowvoltagedrive(4Vdrive). Application Switching

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

SM8M11AT-C

6600WTransientVoltageSuppressorsFamily

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SM8M11T-C

6600WTransientVoltageSuppressorsFamily

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

TT8M11

4VDriveNchPchMOSFET

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

产品属性

  • 产品编号:

    QS8M11TCR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 和 P 沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    3.5A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    TSMT8

  • 描述:

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多QS8M11TCR供应商 更新时间2024-5-15 15:48:00