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SH8M11

丝印:TB;Package:SOP8;4V Drive Nch Pch MOSFET

Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(SOP8). 3) Low voltage drive(4V drive). Application Switching

文件:1.3068 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

SH8M11

4V Drive Nch+Pch MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 ・4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET;

ROHM

罗姆

SM8M11AT-C

6600W Transient Voltage Suppressors Family

文件:524.59 Kbytes 页数:3 Pages

SECOS

喜可士

SM8M11T-C

6600W Transient Voltage Suppressors Family

文件:524.59 Kbytes 页数:3 Pages

SECOS

喜可士

TT8M11

4V Drive Nch Pch MOSFET

文件:1.31389 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • Applications:

    Switching

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Nch+Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    3.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.):

    0.1

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.):

    0.09

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.):

    0.07

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.1

  • Total gate charge Qg[nC]:

    1.9

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    2.0

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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