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SH8M11

丝印:TB;Package:SOP8;4V Drive Nch Pch MOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Highpowerpackage(SOP8). 3)Lowvoltagedrive(4Vdrive). Application Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SH8M11

4V Drive Nch+Pch MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。; ・4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET;

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

SM8M11AT-C

6600WTransientVoltageSuppressorsFamily

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SM8M11T-C

6600WTransientVoltageSuppressorsFamily

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

TT8M11

4VDriveNchPchMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

技术参数

  • Applications:

    Switching

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Nch+Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    3.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.):

    0.1

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.):

    0.09

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.):

    0.07

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.1

  • Total gate charge Qg[nC]:

    1.9

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    2.0

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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SOP8
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更多SH8M11供应商 更新时间2025-8-3 14:14:00