SH8M11数据手册ROHM中文资料规格书
SH8M11规格书详情
描述 Description
电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
・4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：SH8M11
- 生产厂家
：ROHM
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch+Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：3.5
- RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)
：0.1
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)
：0.09
- RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)
：0.07
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.1
- Total gate charge Qg[nC]
：1.9
- Power Dissipation (PD)[W]
：2.0
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
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