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QS8M13中文资料4V Drive Nch+Pch MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

QS8M13

功能描述

4V Drive Nch+Pch MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:08:00

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QS8M13规格书详情

描述 Description

电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

特性 Features

•4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET

应用 Application

·Coin Processing Machines
·POS (Point of Sales System)
·Portable Data Terminal
·智能电表
·Digital Multimeter: Handy Type
·有刷电机
·AC伺服系统
·Network Attached Storage
·DVR/DVS
·漏电断路器
·PLC(Programmable Logic Controller)
·太阳能发电逆变器
·Electric Bike
·X-ray Inspection Machine for Security
·监控摄像机
·Intercom / Baby Monitor
·Machine Vision Camera for Industrial
·Fingerprint Authentication Device
·无刷电机
·步进电机
·内置电脑
·Digital Multimeter: Bench Type
·Display for EMS
·监控摄像机(IP网络)

技术参数

  • 制造商编号

    :QS8M13

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :TSMT8

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :TSMT8

  • Package Size[mm]

    :3.0x2.8 (t=0.8)

  • Applications

    :Switching

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch+Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :6.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

    :0.028

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.025

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.02

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.028

  • Total gate charge Qg[nC]

    :5.5

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :1.5

  • Drive Voltage[V]

    :4.0

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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