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QS8K51中文资料100V Nch+Nch 小信号MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

QS8K51

参数属性

QS8K51 封装/外壳为8-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8

功能描述

100V Nch+Nch 小信号MOSFET
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8

封装外壳

8-SMD,扁平引线

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:08:00

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QS8K51规格书详情

特性 Features

• Low on - resistance.
• Small Surface Mount Package (TSMT8).

简介

QS8K51属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的QS8K51晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :QS8K51

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :TSMT8

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :TSMT8

  • Package Size[mm]

    :3.0x2.8 (t=0.8)

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch+Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :100

  • Drain Current ID[A]

    :2.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

    :0.26

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.25

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.24

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.26

  • Total gate charge Qg[nC]

    :4.7

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :1.5

  • Drive Voltage[V]

    :4.0

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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