QS8J4数据手册ROHM中文资料规格书
QS8J4规格书详情
描述 Description
电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
•4V驱动型 Pch+Pch 中功率MOSFET
技术参数
- 制造商编号
:QS8J4
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TSMT8
- 包装数量
:3000
- 最小独立包装数量
:3000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:TSMT8
- Applications
:Power Supply
- Number of terminal
:8
- Polarity
:Pch+Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:-30
- Drain Current ID[A]
:-4
- RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
:0.06
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
:0.055
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
:0.04
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.06
- Total gate charge Qg[nC]
:8.4
- Power Dissipation (PD)[W]
:1.5
- Drive Voltage[V]
:-4
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:3x2.8 (t=0.85)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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