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QS8M13	文件：1.40965 Mbytes Page：11 Pages	丝印：TCR；Package：TSMT8；4V Drive Nch Pch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.40965 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS8M13	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Pch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SH8M13	文件：1.18679 Mbytes Page：11 Pages	4V Drive Nch Pch MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Structure Silicon N-channel MOSFET/ Silicon P-channel MOSFET Application Switching 文件：1.18679 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SM8M13AT-C	文件：524.59 Kbytes Page：3 Pages	6600W Transient Voltage Suppressors Family 文件：524.59 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SM8M13T-C	文件：524.59 Kbytes Page：3 Pages	6600W Transient Voltage Suppressors Family 文件：524.59 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TSMT8
Package Size[mm]：
3.0x2.8 (t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.028
Total gate charge Qg[nC]：
5.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1.5
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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技术参数

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