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QS8M11	文件：218.15 Kbytes Page：6 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE 文件：218.15 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
QS8M11	文件：1.08698 Mbytes Page：9 Pages	丝印：TR；Package：TSMT8；4V Drive Nch Pch MOSFET 文件：1.08698 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS8M11	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) The UTC QS8M11 uses UTC’s advanced technology to providethe customers with low voltage drive, etc.The UTC QS8M11 is suitable for switching. • N-Channel: 30V, 3.5A\n• RDS(ON) < 65mΩ @ VGS= 4.5V\n• P-Channel: -30V, -3.0A\n• RDS(ON) < 115mΩ @ VGS= -4.5V\n• Low voltage drive (4V drive)\n• Low on-resistance;	UTC 友顺	UTC
QS8M11G-S08-R	文件：218.15 Kbytes Page：6 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE 文件：218.15 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
QS8M11G-S08-T	文件：218.15 Kbytes Page：6 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE 文件：218.15 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
QS8M11L-S08-R	文件：218.15 Kbytes Page：6 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE 文件：218.15 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
QS8M11L-S08-T	文件：218.15 Kbytes Page：6 Pages	DUAL ENHANCEMENT MODE 文件：218.15 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
QS8M11L-S08-T	文件：3.78143 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel and P-Channel MOSFET useadvanced trench Technology 文件：3.78143 Mbytes 页数：8 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
QS8M11A	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Pch MOSFET • Low On-Resistance\n• High Power Package (TSMT8)\n• Low Voltage Drive (4V Drive);	ROHM 罗姆	ROHM
QS8M11TCR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

VGSS(V)：
±20
ID(A)：
3.5_-3.0
RDS(ON)VGS=10V(mΩ)(Max)：
50_75
RDS(ON)VGS=4.5V(mΩ)(Max)：
65_115
VGS(th)(V)(Min)：
1.0_-1.0
VGS(th)(V)(Max)：
2.5_-2.5
Package：
SOP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市向鸿伟业电子有限公司	QS8M11	ROMH	2403+	TSMT8	11809	原装现货!欢迎随时咨询!	询价
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更多QS8M11供应商更新时间2025-12-11 16:12:00

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