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PXFE181507FC-V1中文资料High Power RF LDMOS FET175 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz数据手册MACOM规格书
| 厂商型号 |
PXFE181507FC-V1 |
| 参数属性 | PXFE181507FC-V1 封装/外壳为H-37248G-4/2；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：150W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS FET175 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz |
| 封装外壳 | H-37248G-4/2 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-11 17:30:00 |
| 人工找货 | PXFE181507FC-V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PXFE181507FC-V1规格书详情
描述 Description
Broadband internal input and output matching Typical Pulsed CW performance; 1842 MHz; 28 V; single side; class AB test: Output power at P1dB = 175 W; Output power at P3dB = 222 W; Efficiency at P3dB = 60%; Gain = 21.3 dB Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V; 180 W (CW) output powerIntegrated ESD protection Low thermal resistance Pb-free and RoHS compliant
特性 Features
• Broadband internal input and output matching
•Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V; 180 W (CW) output power
•Low thermal resistance
•Pb-free and RoHS compliant
应用 Application
• Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：PXFE181507FC-V1
- 生产厂家
：MACOM
- Typical Power (PSAT)
：50 W
- Operating Voltage
：28 V
- Frequency
：1.805 - 1.88 GHz
- Package Type
：Earless
- Efficiency
：36 %
- Gain
：20 dB
- Technology
：LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
15+ |
DIP |
30965 |
询价 | |||
MURATA/村田 |
24+ |
ROHS |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
CHINAXYJ |
23+ |
SMD |
9868 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
MURATA |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
24+ |
6950 |
询价 | |||||
MURATA/村田 |
23+ |
ROHS |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
TDK/东电化 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Lemo |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
MURATA/村田 |
24+ |
NA/ |
19765 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
