PXFC193808SVV1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

High Power RF LDMOS FET 380 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz

特性 Features

·Broadband internal input and output matching
·Typical pulsed CW performance, 1842.5 MHz, 28 V - Output power at P1dB = 380 W - Efficiency = 54.9% - Gain = 21 dB
·Integrated ESD protection
·ESD: Human Body Model, Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
·Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 200 W(1-C WCDMA) output power
·Low thermal resistance, Pb-free and RoHS compliant

简介

PXFC193808SVV1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PXFC193808SVV1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。