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PXFC192207SH数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

PXFC192207SH

参数属性

PXFC192207SH 封装/外壳为H-37248G-4/2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Broadband internal input and output matching
IC AMP RF LDMOS

封装外壳

H-37248G-4/2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:55:00

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PXFC192207SH规格书详情

简介

PXFC192207SH属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PXFC192207SH晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PXFC192207SHV1R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    1.805GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    20dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    50W

  • 封装/外壳:

    H-37248G-4/2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

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