PXFC211507SCV1R250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

High Power RF LDMOS FET 150W, 28V, 2110 – 2170MHz

特性 Features

• Broadband internal input and output matching
• Typical Pulsed CW performance, 2170 MHz, 28 V, 10 μs pulse width, 10% duty cycle - Output power at P1dB = 150 W - Efficiency = 56% - Gain = 19 dB
• Typical single-carrier WCDMA performance, 2170 MHz, 28 V, 8 dB PAR @ 0.01% CCDF, Test Model 1 with 64DPCH - Output power = 32 W - Efficiency = 32% - Gain = 20 dB
• Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 150 W (CW) output power
• Integrated ESD protection
• ESD Rating: Human Body Model, Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Low thermal resistance
• Pb-free and RoHS compliant
 

简介

PXFC211507SCV1R250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PXFC211507SCV1R250晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。