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PSMN4R2-60PL	文件：733.36 Kbytes Page：13 Pages	型号：PSMN4R2-60PL；Package：SOT78；N-channel 60 V, 3.9 mΩ logic level MOSFET in SOT78 1.Generaldescription LogiclevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Productdesign andmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits •Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses •Robustconstructionfordem	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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PSMN4R2-60PL

文件：733.36 Kbytes

Page：13 Pages

型号：PSMN4R2-60PL；Package：SOT78；N-channel 60 V, 3.9 mΩ logic level MOSFET in SOT78

1.Generaldescription LogiclevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Productdesign andmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits •Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses •Robustconstructionfordem

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
PSMN4R2-60PL
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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