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PSMN8R5-100ES

丝印:PSMN8R5-100ES;Package:I2PAK;N-channel 100 V 8.5 m廓 standard level MOSFET in I2PAK

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安世安世半导体(中国)有限公司

PSMN8R5-100ESF

丝印:PSMN8R5-100ESF;Package:I2PAK;NextPower 100 V, 8.8 m廓 N-channel MOSFET in I2PAK

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安世安世半导体(中国)有限公司

PSMN8R5-100ES

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安世安世半导体(中国)有限公司

PSMN8R5-100ESF

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安世安世半导体(中国)有限公司

PSMN8R5-100ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

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ISC

无锡固电

PSMN8R5-100ESF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 97A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

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ISC

无锡固电

PSMN8R5-100ES_15

N-channel 100 V 8.5 m廓 standard level MOSFET in I2PAK

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PHI

飞利浦

PHI

详细参数

  • 型号:

    PSMN8R5-100ES

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PSMN8R5-100ES供应商 更新时间2025-9-21 16:12:00