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PSMN028-100HS	文件：276.82 Kbytes Page：12 Pages	Marking：28RS10H；Package：LFPAK56D；N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN028-100YS	文件：817.14 Kbytes Page：15 Pages	N-channelLFPAK100V27.5mΩstandardlevelMOSFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinLFPAKpackagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits AdvancedTrenchMOSprovideslow RDSonandlowgatecha	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN028-100HS

文件：276.82 Kbytes

Page：12 Pages

Marking：28RS10H；Package：LFPAK56D；N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology

Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Low

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PSMN028-100YS

文件：817.14 Kbytes

Page：15 Pages

N-channelLFPAK100V27.5mΩstandardlevelMOSFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinLFPAKpackagequalifiedto175°C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits AdvancedTrenchMOSprovideslow RDSonandlowgatecha

安世安世半导体(中国)有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PSMN028-100HSX	Nexperia USA Inc.	25+	SOT-1205 8-LFPAK56	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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