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PSMN028-100HS中文资料N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology数据手册Nexperia规格书
PSMN028-100HS规格书详情
描述 Description
Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology.
特性 Features
• High peak drain current IDM
• Copper clip and flexible Leads
• High operating junction temperature Tj = 175 °C
• Superior reliability
• Low body diode reverse recovery charge Qr
应用 Application
• Synchronous rectifier
• Forward and flyback converter
• Industrial drive
• Power management system
• Uninterruptible Power Supply (UPS)
技术参数
- 制造商编号
：PSMN028-100HS
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：LFPAK56D; Dual LFPAK
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：100
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：27.5
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：29
- QGD [typ] (nC)
：12.900001
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：34
- Ptot [max] (W)
：64
- Qr [typ] (nC)
：52.8
- VGSth [typ] (V)
：3
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1603
- Coss [typ] (pF)
：164
- Release date
：2022-09-26
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