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PSMN018-100ESF规格书详情
描述 Description
NextPower 100 V, 18 mΩ N-channel MOSFET in I2PAK package - NextPower 100 V standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for industrial & consumer applications.
特性 Features
·Optimised for fast switching, low spiking, high efficiency
·Low QG x RDSon FOM for high efficiency switchingapplications
·Low body diode losses (Qrr) and fast recovery (trr)
·Strong avalanche energy rating (EAS)
·Avalanche rated & 100% tested
·Ha-free & RoHS compliant I2PAK low-height package
应用 Application
·Synchronous rectification in AC-to-DC and DC-to-DC applications
·Brushed & BLDC motor control
·UPS & solar inverter
·LED lighting
·Battery protection
·Full-bridge & half-bridge applications
·Flyback & resonant topologies
技术参数
- 制造商编号
：PSMN018-100ESF
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：I2PAK
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：100
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：18
- T_j [max] (°C)
：175
- I_D [max] (A)
：53
- Q_GD [typ] (nC)
：4.2
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：21.4
- P_tot [max] (W)
：111
- Q_r [typ] (nC)
：46
- V_GSth [typ] (V)
：3.2
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：1482
- C_oss [typ] (pF)
：280
- Date
：2017-03-27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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