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PSMN015-100B数据手册Nexperia中文资料规格书
PSMN015-100B规格书详情
描述 Description
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• Rated for avalanche ruggedness
应用 Application
• DC-to-DC convertors
• Switched-mode power supplies
技术参数
- 制造商编号
：PSMN015-100B
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：D2PAK
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：100
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：15
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：75
- QGD [typ] (nC)
：35
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：90
- Ptot [max] (W)
：300
- Qr [typ] (nC)
：115
- VGSth [typ] (V)
：3
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：4900
- Coss [typ] (pF)
：390
- Release date
：2010-11-13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2021/2022+ |
N/A |
6000 |
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PHI |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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PHI |
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TO-263 |
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恩XP |
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TO263 |
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恩XP |
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TO-263 |
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当天发货全新原装现货 |
询价 |
